Сайт о современной художественной ковке металла мастерами

Модно, Стильно, Красиво.

picture

picture

Художественная эмаль
Художественная эмаль возникла еще во времена Древнего Египта сначала как имитация драгоценных камней и применялась как...

picture

Кованая роза
Конечно, кованая роза больше подходит для оформления классических, ренессансных, барочных интерьеров, чем для современных...

picture

Кованая оружие
Ковка оружия бесспорно является одним из направлений наших работ, потому что кованая оружие - это замечательный сувенир...

Интересные статьи:

Механикотехнологические методы испытаний
Первое место занимает ситовый анализ, который во многих случаях удовлетворительно характеризует технологическую Пригодность порошка. В последнее время отмечается стремление стандартизировать необходимые для ситового анализа приборы и ход анализа...

Читать далее

Исследования химической активности
Общеизвестно, что металлический порошок при соприкосновении с воздухом активно поглощает кислород. Однако это Окисление может распространяться в различной степени, причем скорость реакции зависит от размеров и состояния поверхности...

Читать далее

Физические методы исследования
Значительным достижением в области прямого исследования металлических порошков является широкое использование электронного микроскопа, на что указывают Хунгер и Павлек, а также Гривст с сотрудниками. Хотя высказывания отдельных авторов о возможности применения электронного микроскопа в порошковой металлургии и расходятся в частностях, все же большинство из них указывает на преимущества этого метода...

Читать далее

Влияние атомарного водорода НА СТРУКТУРЫ МЕТАЛЛА ПОЛУПРОВОДНИКА

27-11-2023

Таким образом, изменение потенциала на образцах с состаренным слоем окиси проходит преимущественно за счет физической адсорбции. Взаимодействие Н с образцами, на поверхности которых слой SiO2 имеет минимальную толщину, сопровождается еще и химической адсорбцией. Потенциал поверхности таких образцов при комнатных условиях изменяется незначительно и остается на уровне, существенно отличается от исходного состояния к обработке.

Рис. 1. Изменение потенциала поверхности от времени обработки атомарным водородом свижопротравлених образцов

Определение влияния атомарного водорода на электрические параметры системы «металл полупроводник» проводились на двух системах: металл немодифико ваний Si и металл обработан атомарным водородом Si. Измерения показали различия ВАХ структуры

тур, которые были изготовлены из обработанного (3 мин) и необ деланно атомарным водородом Si (рис. 3).

Обработка поверхности полупроводника атомарным водородом приводит к увеличению «пятки» прямой ветви ВАХ. Отличие характеристик сохраняется даже после 6 месяцев выдержки при комнатных условиях, го ворит о наличии необратимых изменений параметров поверхности Si.

С учетом явлений диффузии и дрейфа носителей заряда через обедненный слой полупроводника у контакта зависимость плотности тока от напряжения на контакте [9]

Jx = JS [exp (qVA / KbT) 1], (1)

где J = (q2DnNc/kbT) [2q ^ г Va) ND / TS] 1 / 2exp (qФвВД, Dn коэффициент диффузии электронов; Nc эффективная плотность состояний в зоне проводимости es диэлектрическая постоянная полупроводника; Va приложено напряжение; Nd концентрация донорной примеси ; ФГ и ФВ изгиб зон и поверхностный барьер.

В реальной структуре приложено напряжение падает не только на переходе металл полупроводник, но и на сопротивлении базы и контактов. С учетом сопротивления базы Rb и площади перехода S уравнения (1) приобретает вид

I = SJs [exp (q (Va IRb) / кbT) 1].

Рис. 2. Релаксация потенциала поверхности образцов после обработки в течение 300 с в Н:

а образец Si с толстым слоем природного окиси б исходное состояние образца Si с толстым слоем природного окиси; в образец Si с тонким слоем окиси, г исходное состояние образца, свижопротравленого Si

Рис. 3. Вольтамперные характеристики структур NinSi (100) 0,3 Омсм:

а структуры, изготовленные из контрольного Si б структуры, изготовленные из обработанного в Н Si

Для учета различий реальной структуры от идеальной необходимо учесть не только различие величины барьера qФB, которая возникает при наличии на поверхности полупроводника поверхностных состояний, но и сопротивление базовой области и сопротивление контактов. При достаточно больших токах через переход зависимость

тока от напряжения меняется с экспоненциальной в линейную. Это позволяет по части прямой ветви ВАХ определить эквивалентное сопротивление структуры, который включает в себя сопротивление базы и активное сопротивление контактов.


Другие статьи по теме:
 Алюминий и его сплавы.
 Полосы из инструментальных сталей
 Металлические порошки
 Содержание тяжелых металлов в почве
 Легированная спеченная сталь

Добавить комментарий:
Введите ваше имя:

Комментарий:

Защита от спама - введите символы с картинки (регистр имеет значение):