Интересные статьи:
Механикотехнологические методы испытаний
Первое место занимает ситовый анализ, который во многих случаях удовлетворительно характеризует технологическую Пригодность порошка. В последнее время отмечается стремление стандартизировать необходимые для ситового анализа приборы и ход анализа...
Исследования химической активности
Общеизвестно, что металлический порошок при соприкосновении с воздухом активно поглощает кислород. Однако это Окисление может распространяться в различной степени, причем скорость реакции зависит от размеров и состояния поверхности...
Физические методы исследования
Значительным достижением в области прямого исследования металлических порошков является широкое использование электронного микроскопа, на что указывают Хунгер и Павлек, а также Гривст с сотрудниками. Хотя высказывания отдельных авторов о возможности применения электронного микроскопа в порошковой металлургии и расходятся в частностях, все же большинство из них указывает на преимущества этого метода...
Влияние атомарного водорода НА СТРУКТУРЫ МЕТАЛЛА ПОЛУПРОВОДНИКА |
27-11-2023 |
Таким образом, изменение потенциала на образцах с состаренным слоем окиси проходит преимущественно за счет физической адсорбции. Взаимодействие Н с образцами, на поверхности которых слой SiO2 имеет минимальную толщину, сопровождается еще и химической адсорбцией. Потенциал поверхности таких образцов при комнатных условиях изменяется незначительно и остается на уровне, существенно отличается от исходного состояния к обработке.
Рис. 1. Изменение потенциала поверхности от времени обработки атомарным водородом свижопротравлених образцов
Определение влияния атомарного водорода на электрические параметры системы «металл полупроводник» проводились на двух системах: металл немодифико ваний Si и металл обработан атомарным водородом Si. Измерения показали различия ВАХ структуры
тур, которые были изготовлены из обработанного (3 мин) и необ деланно атомарным водородом Si (рис. 3).
Обработка поверхности полупроводника атомарным водородом приводит к увеличению «пятки» прямой ветви ВАХ. Отличие характеристик сохраняется даже после 6 месяцев выдержки при комнатных условиях, го ворит о наличии необратимых изменений параметров поверхности Si.
С учетом явлений диффузии и дрейфа носителей заряда через обедненный слой полупроводника у контакта зависимость плотности тока от напряжения на контакте [9]
Jx = JS [exp (qVA / KbT) 1], (1)
где J = (q2DnNc/kbT) [2q ^ г Va) ND / TS] 1 / 2exp (qФвВД, Dn коэффициент диффузии электронов; Nc эффективная плотность состояний в зоне проводимости es диэлектрическая постоянная полупроводника; Va приложено напряжение; Nd концентрация донорной примеси ; ФГ и ФВ изгиб зон и поверхностный барьер.
В реальной структуре приложено напряжение падает не только на переходе металл полупроводник, но и на сопротивлении базы и контактов. С учетом сопротивления базы Rb и площади перехода S уравнения (1) приобретает вид
I = SJs [exp (q (Va IRb) / кbT) 1].
Рис. 2. Релаксация потенциала поверхности образцов после обработки в течение 300 с в Н:
а образец Si с толстым слоем природного окиси б исходное состояние образца Si с толстым слоем природного окиси; в образец Si с тонким слоем окиси, г исходное состояние образца, свижопротравленого Si
Рис. 3. Вольтамперные характеристики структур NinSi (100) 0,3 Омсм:
а структуры, изготовленные из контрольного Si б структуры, изготовленные из обработанного в Н Si
Для учета различий реальной структуры от идеальной необходимо учесть не только различие величины барьера qФB, которая возникает при наличии на поверхности полупроводника поверхностных состояний, но и сопротивление базовой области и сопротивление контактов. При достаточно больших токах через переход зависимость
тока от напряжения меняется с экспоненциальной в линейную. Это позволяет по части прямой ветви ВАХ определить эквивалентное сопротивление структуры, который включает в себя сопротивление базы и активное сопротивление контактов.
Полосы из инструментальных сталей
Металлические порошки
Содержание тяжелых металлов в почве
Легированная спеченная сталь