Интересные статьи:
Физические методы исследования
Значительным достижением в области прямого исследования металлических порошков является широкое использование электронного микроскопа, на что указывают Хунгер и Павлек, а также Гривст с сотрудниками. Хотя высказывания отдельных авторов о возможности применения электронного микроскопа в порошковой металлургии и расходятся в частностях, все же большинство из них указывает на преимущества этого метода...
Методы исследования металлических порошков
Величина частиц и удельная поверхность металлических порошков имеют особое значение, поэтому необходимо определять эти свойства новейшими физическими и химическими методами, во многих случаях уточнять различные определения, а для отдельных явлений — разрабатывать такие точные определения. За последнее время можно отмстить известные достижения в этом направлении...
Магнитные свойства металлических порошков
Магнитные свойства металлических порошков существенно отличаются от свойств литых металлов. Об этом стало известно благодаря наблюдениям Джилло, приведенным в работе Киттеля и в статьях Нееля, Вейля и Фелици...
Влияние атомарного водорода НА СТРУКТУРЫ МЕТАЛЛА ПОЛУПРОВОДНИКА |
30-10-2023 |
Для расчета эквивалентного сопротивления Rb, величины барьера qФB по экспериментальным ВАХ была составлена программа (расчет производился и то ных методом по критерию наименьших квадратов). Оказалось, что разница между величинами qФB образцов, обработанных в Н и ни, составляет 0,130 и 0,176 эВ соответственно для nSi (100) и nSi (111).
Так, расчеты параметров контакта металл полупроводник коррелируют с результатами, полученными методом динамического конденсатора и подтверждают возможность длительной модификации потенциала поверхности полупроводника под действием Н и зависимость от кристаллографической ориентации кристаллов.
Исследование ВАХ структур NiSi, обработанных и необработанных в Н, показали изменение вида ВАХ (рис. 4).
Рис. 5. ВАХ кристаллов германия после обработки тонкопленочных структур (NiGe)
атомарным водородом: а 0 мин б 15 мин., в 30 мин г 60 мин
На начальном этапе обработки структуры прямая ветвь ВАХ почти не меняется, а изменения претерпевает обратная ветвь. Это связано с наличием процесса распыления и очистки боковой поверхности контакта. Дальнейшая обработка усиливает тенденцию изменения ВАХ. Такое явление связывается с процессом диффузии атомарного водорода в границе раздела металл полупроводник и изменением потенциала поверхности.?
Поскольку кремний имеет плотную пленку естественного окисла, который мешает диффузии атомов из пленки в кристалл, то при взаимодействии Н с системами на основе Si процесс введения атомов из пленки в кристалл является несущественным. Однако при рассмотрении тонкопленочных систем на основе Ge такой процесс может существенно влиять на электрофизические свойства структур.
Для исследования процесса низкотемпературного легирования кристалла атомами пленки использовалась система NiGe [10]. Это связано с тем, что Ge имеет слой окиси, который легко снимается атомарным водородом, то есть так называемым «открытым» для воздействия атомарного водорода.
Как известно, никель в германии является акцептором. Поэтому легирование приповерхностных слоев nгерманию (ps == 1 Омсм, n = 1015 см 3) никелем с концентрацией р> n может приводить к образованию рnпереходу. Для выявления таких pnпереходов и их исследование в кристаллах германия с пленками никеля, обработанных в атомарном водороде, измеряли ВАХ (рис. 5).
Измерение эталонных образцов германия (необработанные в Н кристаллы, на которые пленки Ni напилювалися, а затем зтравлювалися) показал, что ВАХ в этом случае почти линейная (рис. 5, а).
Алюминий и его сплавы.
Другие химические методы производства металлических порошков
Магнитные свойства металлических порошков
Промышленная установка непрерывной разливки стали на заводе Атлас Стил в Уэленде (Канада).