Сайт о современной художественной ковке металла мастерами
Модно, Стильно, Красиво.
Художественная эмаль
Художественная эмаль возникла еще во времена Древнего Египта сначала как имитация драгоценных камней и применялась как...
Кованая роза
Конечно, кованая роза больше подходит для оформления классических, ренессансных, барочных интерьеров, чем для современных...
Кованая оружие
Ковка оружия бесспорно является одним из направлений наших работ, потому что кованая оружие - это замечательный сувенир...
Интересные статьи:
Химический анализ
Химический анализ металлических порошков по своей методике аналогичен общему анализу металлов. Исключением является лишь определение кислорода...
Механикотехнологические методы испытаний
Первое место занимает ситовый анализ, который во многих случаях удовлетворительно характеризует технологическую Пригодность порошка. В последнее время отмечается стремление стандартизировать необходимые для ситового анализа приборы и ход анализа...
Исследования химической активности
Общеизвестно, что металлический порошок при соприкосновении с воздухом активно поглощает кислород. Однако это Окисление может распространяться в различной степени, причем скорость реакции зависит от размеров и состояния поверхности...
Влияние атомарного водорода НА СТРУКТУРЫ МЕТАЛЛА ПОЛУПРОВОДНИКА |
26-11-2023 |
РЕЗУЛЬТАТЫ ЭКСПЕРИМЕНТОВ
Исследование потенциала поверхности образцов показали, что обработка wSi (100) и ^ Si (iii) атомарным водородом приводит к изменению поверхностного потенциала
(Рис. 1). Измерения показывают, что потенциалы поверхностей реального n и ^ Si почти не отличаются друг от друга разность потенциалов составила 0,050 x0, 070 эВ. Это подтверждает наличие явления «пиннинга» уровня Ферми на поверхности полупроводника [6].
Потенциал начинал меняться уже после 30 секунд взаимодействия кристалла с атомарным водородом, а после 35 минут взаимодействия потенциал поверхности достигал насыщения. Экспериментально зафиксировано, что большее влияние испытывает /> Si (111) по сравнению с nSi (100). После обработки разность потенциалов между ^ Si (111) и nSi (100) составляла 0,1 эВ. Такое различие во взаимодействии атомарного водорода с кристаллами может быть повязанная как с различной кристаллографической ориентацией, так и с процессом комплексообразования водорода с атомами примеси бора и фосфора [7].
В результате исследований влияния атомарного водорода на сопротивление подложек установлено, что для всех образцов Si (0,3 и 1 Омсм) с началом действия атомарного водорода наблюдался скачок величины сопротивления, что, согласно [8], связано с процессами генерации свободных носителей заряда под действием рекомбинации атомарного в молекулярный водород и процессом адсорбции. Сопротивление образцов изменялся во время обработки до 20% от исходного состояния, при этом относительное изменение сопротивления является большей на образцах с большим удельным сопротивлением. После прекращения действия атомарного водорода сопротивление структур со временем возвращался к исходным значениям. Исходя из этого факта, в условиях обработки комплексообразования, которое повлияло на сопротивление образцов не происходит, а изменение сопротивления Si при обработке Н обусловлена процессами адсорбции и генерации неравновесных носителей заряда.
Исследование влияния атомарного водорода на поверхность nSi (100) и nSi (111) с одинаковым удельным сопротивлением показали, что изменение потенциала для nSi (111) на 0,07 эВ выше, чем для nSi (100). Согласно [9], плотность разорванных связей на поверхности Si (111) больше, чем на Si (100), поэтому большие по значению изменения потенциала Si (111) связаны с ее большей активностью к взаимодействию с водородом. Таким образом, взаимодействие Н с поверхностью полупроводника при данных условиях обработки не зависит от типа проводимости, а определяется состоянием поверхности количеством разорванных связей, адсорбированными частицами и т.д..
В течение некоторого времени после обработки на всех опытных образцах наблюдается уменьшение потенциала поверхности, т.е. происходит его релаксация в сторону начального значения (рис. 2).
После прекращения действия водорода потенциал поверхности возвращается почти к исходному состоянию за 3648 часов, если на образцах был состаренный слой природного окиси (выдержка после травления при комнатных условиях в течение нескольких месяцев). На образцах с тонким окислом, который образовался непосредственно после обработки кристаллов в HF при контакте с воздухом, потенциал поверхности значительно отличается от первоначального даже после 240 часов выдержки при комнатных условиях (разность потенциалов обработанного и контрольного образцов составляет 0,18 эВ).
Физические методы исследования Свойства и испытания спеченных железа и стали Связь проблемы с научными и практическими заданиями Строение, свойства и способы испытания металлов Легированные порошки