Интересные статьи:
Железные материалы Ф. Аизенкольб: производство и области применения
Из работ общего характера, посвященных технологии получения железных материалов и их применению, следует прежде всего назвать сообщение Тиммербейля и Гуммеля, обратившее внимание широкого круга читателей на преимущества порошковой металлургии...
Химический анализ
Химический анализ металлических порошков по своей методике аналогичен общему анализу металлов. Исключением является лишь определение кислорода...
Механикотехнологические методы испытаний
Первое место занимает ситовый анализ, который во многих случаях удовлетворительно характеризует технологическую Пригодность порошка. В последнее время отмечается стремление стандартизировать необходимые для ситового анализа приборы и ход анализа...
Вольтамперные характеристики структур металхимичномодифицированного кремния |
07-12-2023 |
Вольтамперные характеристики структур металхимичномодификований кремнийркремний
Секко были обнаружены дислокационные сетки, которые образуют мозаичную структуру кремния (плотность
1010 м2),
дислокаций в сетях равнялась состояли из 600 и частичных дислокаций, которые были декорированы кислородом (рис. 4). Возникающие типичные структурные дефекты свидетельствуют о появлении нормальной кристаллической структуры Si. На рисунке 5 приведены
Рис. 4. Электронное изображение дислокационных сеток (получены при пищеварении поверхности кремния травником Сиртля)
изображения увеличенной картины области дислокационных сеток. Хорошо наблюдаются участки мелкого вертикально расположенного кремния с размерами порядка 10 нм. При пищеварении более 6 минут дислокационные сетки исчезали, а вместо них проявлялись отдельные дислокации и линии скольжения (рис. 6). Установлено, что толщины переходных слоев, которые состояли из дрибноблокованого кремния и областей дислокационных сеток, пропорциональные толщинам оксидов, понятно, если вспомнить, что увеличение толщины оксида приводит к увеличению механического напряжения на границе раздела, величина которой сильно превышает порог пластического?
Рис. 5. Электронное увеличенное изображение участка дислокационной сетки (х 10000).
течения кремния. На толщину переходного слоя, также влияет наличие структурных дефектов на поверхности исходного кремния. Увеличение плотности структурных дефектов приводит к увеличению количества каналов ускоренной диффузии кислорода вдоль структурных дефектов с последующим образованием оксида, что и приводит к увеличению механического напряжения на границе раздела.
Рис. 7.Типови вольт амперные характеристики исследуемых диодных структур Pdхимично модифицированный кремнийркремний.
Для создания диодных структур на поверхность кремния с дислокационными сетками (рис. 4) методом термического напыления в вакууме наносился слой палладия толщиной 500 мкм с последующим фотолитографией с целью получения отдельных диодов. Методом выборочного химического травления установлено, что толщина слоя, в котором залегают дислокационные сетки равен 8 мкм (при плотности дислокаций в исходном кремния 105 м2 и толщине исходного оксида 1 мкм). На рис. 7 приведена типичная вольт амперная характеристика исследуемых диодных структур при прямой и обратной напряжении. Прямой ток изменялся с напряжением как I ~ U2, а обратный как I ~ exp (a | U |). Из этого можно сделать вывод, что при прямых напряжениях барьер Шоттки не влияет на процесс токопереноса. На этот процесс влияет механизм двойной инжекции дырок из р кремния и электронов из металлического контакта в область дислокационных сеток. Обратный ток имеет экспоненциальный характер, что свидетельствует о преобладающем влиянии барьера Шоттки и дислокационных барьеров на процесс токопереноса. Примерную оценку подвижности дырок в районе залегания дислокационных сеток можно получить, если применить выражение для плотности обратного тока при насыщенные в рамках дрейфоводифузийнои теории [5]
Mp = Jp ЕЕ0 q2 N2p W expb / kT], (1)
Способы декоративного оформления изделий из металла
ОБЪЕКТ ИССЛЕДОВАНИЯ - МЕТАЛЛ
КАКИЕ ИЗДЕЛИЯ МОЖНО СДЕЛАТЬ ИЗ ЧЕРНОГО МЕТАЛЛА
Вольтамперные характеристики структур металхимичномодифицированного кремния